Skip to main content

أهداف المقرر

سيكتسب الطالب المعرفة والفهم في : كيفية  تصنيع الدارات الالكترونية الدقيقة وتكنولوجيا انصاف النواقل و الدارت الالكترونية عالية الاندماج VLSI وطريقة ترابطها وعلاقات التبادل المختلفة بين  عناصر هذة الدارات .

 

طرق التقويم

(40%) من علامة المقرر: عن طريق إجراء اختبارين فصليين.
(60%) من علامة المقرر: عن طريق امتحان فصلي تحريري شامل.

 

مفردات المقرر

يتضمن المقرر قدمة عامة عن تطور تصنيع الدارات الالكترونية المتكاملة ، قانون مور ، الحصول على السليكون النقي ، الاشابة لتحقيق مستويات n,p,p+,n+ ,p-,n-  ؛ مراحل تصنيع الدارة المتكاملة ، العناصر المتكاملة ، المختلفة ، المؤثرات فيما بينها ، دارات الـMOS,CMOS,BIMOS,التي  تقود الى تحقيق الاندماج العالي ، مؤثرات الوظيفة ، المساحة ، عدد العناصر في الكسرة الواحدة ، التطبيقات في حالات التحميل، الذواكر ، المصفوفات المتكاملة ، دارات الـ .MEMS